Via Hole 내층 동박의 접속신뢰성 향상, 신규수평화학동

Alkaline Ion Type Horizotal Electroless Copper Plating OPC H-TEC SERIES

• 전해니켈 제품

  신규프로세스의 특성
  ● Via Hole Bottom부, 내층 회로와의 접속신뢰성 향상 → Cu표면의 유기 부착물 최소화 ● 프리딥-촉매 공정의 Pd 이물 불량 감소, 회로 공정 수율 향상 ● Pd 이온 촉매제의 액수명 개선 , 기존 공정의 2배 이상 사용가능 → 프리딥액 혼입에 따른 Pd침전물 개선. ● 프리딥/촉매 공정간의 반송 롤러 유지보수 빈도 감소

• OPC H-TEC 프로세스

  프리딥/촉매 약품 혼입 평가 프리딥액 500 ml + 촉매액 25 ml 혼입후 0.2μm 멤브레인 필터로 필터링 실시 신규프로세스 기존 프로세스

• 소재별 Pd 흡착량 평가		신규 프로세스	기존 프로세스
  Pd흡착량 (mg/dm2)	수지표면	0.080	0.056
  	PI 소재	0.050	0.025
  	Cu 표면	0.0046	0.0047
  ● 일반 수지와 PI상에 Pd흡착량이 기존공정보다 많음

• Cu 표면의 유기성분 흡착량 평가
  처리전 Bare Cu	프리딥 처리 후
  처리공정 : 컨디셔너~프리딥 처리조건 : 각 약품사별 표준조건

• Predip 처리 후 탄소원소측정(GD-OES)

  Cu 표면의 “C”함유량 분석결과 ( XPS )

• Via Bottom부 TEM 분석

  	신규프로세스	Nano Void 불량사례
  	Nano Void 관찰되지 않음

• FE-SEM 분석

  신규프로세스	기존프로세스

• PCT(Pressure Cooker Test) 평가

  PCT(Pressure Cooker Test) 평가
  시험조건 : 3 기압, 120℃, 습도 100%, 12 Hr 평가결과 : 4단자 시험전,후 저항변화율 없음. Via Crack 양호

• Via Hole 석출성

  Via Hole 석출성
  Via Hole 바닥 Edge부의 Cu석출성 양호 유리섬유 표면의 Cu 석출성 양호